據新華社東京電 （記者華義）日本研究人員最新研究發現，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為，這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知，有助于推動相關領域發展。
傳統意義上，金屬和半導體被嚴格區分，金屬一般導電性能好，而半導體介于絕緣體和導體之間，導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。
京都大學研究小組發現，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，它可以像半導體一樣，通過外部電壓控制電阻。
此外，研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。“自旋軌道耦合”是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用，在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。
《 人民日報 》（ 2018年08月15日 22 版）
